Samsung gick framåt i halvledarutrymmet och sa att de startade massproduktion av chips på sin senaste 3nm-processnod. Den är baserad på MBCFET-arkitekturen istället för den nuvarande FinFET-modellen.
Samsung noterade att dess 3nm-processnod använde 45 % mindre ström samtidigt som den gav 23 % mer prestanda. Dessa är små, men har ändå en flexibel design för att justera kraftkanalens bredd efter kundens behov, sa Samsung, utan att avslöja hur chipsen för närvarande massproduceras.
Samsungs 3nm Process Node
Världens största minneschiptillverkare och den näst största kontraktschiptillverkaren – Samsung började tillverka chips baserat på sin senaste 3nm-processnod. Den sydkoreanska jätten har redan konkurrerat hårt med TSMC, som har mer framstående kunder i sin portfölj.
Således lovade Samsung att spendera 355 miljarder dollar under de kommande fem åren för att förbättra sina rörelser inom halvledarindustrin, som kallas en strategisk verksamhet. I denna jakt, Samsung meddelade påbörjar masschipproduktion baserad på den avancerade 3nm processnoden.
Företaget sa att denna processnod använde 45 % mindre ström jämfört med den nuvarande bästa 5nm-processnoden, och erbjuder 23 % mer prestanda och 16 % minskad yta.
Den använder Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) – en gate-all-around (GAA) transistorarkitektur som gör kanalerna bredare för att tillåta elektricitet att flöda bättre och minska spänningsnivån – vilket gör den bättre än FinFET-transistorarkitekturen.
Även om Samsung inte nämnde för vem det masstillverkar chipsen, sa den att 3nm processnoddesignen är så flexibel att den kan justera kanalbredden efter kundens behov. Dessutom är en andra generationens 3nm-nod i pipelinen, noterade företaget, med fler förbättrade förbättringar, yta och strömförbrukning.
